1号彩票

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滁州市世纪大道801号(昭阳工业园)10号厂房3层
ALD原子层沉积技术及应用
ALD设备
技术参数
衬底尺寸和类型8英寸向下兼容 /单片
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底
粉末与颗粒
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品
工艺温度50   – 500 °C, 可选更高温度
基片传送选件手动装载(可增加自动装载)
前驱体液态、固态、气态、臭氧源
5根独立源管线,最多加载6个前驱体源
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出
重量350kg
外观尺寸
   
750mm×630mm×1050mm
选件PICOFLOW扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,   RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)。
验收标准标准设备验收标准为   Al2O3 工艺


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